Das Ausgangsmaterial zur Herstellung gesputterter Dünnfilme, auch als Sputtertargets bezeichnet, insbesondere hochreine Sputtertargets, die bei der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) bei der Herstellung elektronischer Komponenten verwendet werden, ist ein Schlüsselmaterial zur Herstellung elektronischer Dünnfilme auf der Oberfläche von Wafern, Platten und Solarzellen.
Im Vakuum werden beschleunigte Ionen verwendet, um die Oberfläche eines Festkörpers zu bombardieren. Die Ionen tauschen Impulse mit den Atomen auf der Oberfläche des Festkörpers aus, wodurch die Oberflächenatome des Festkörpers den Festkörper verlassen und sich auf der Oberfläche des Substrats ablagern, um den gewünschten Dünnfilm zu bilden. Dieser Vorgang wird als Sputtern bezeichnet. Der bombardierte Festkörper ist das Ausgangsmaterial für die Abscheidung von Dünnfilmen durch Sputtern und wird üblicherweise als Zielmaterial bezeichnet.
Sputtertargets bestehen hauptsächlich aus Targetrohlingen und Trägerplatten. Der Targetrohling ist das Material, auf das der Hochionenstrahl zielt, und bildet den Kern des Sputtertargets. Während des Sputtervorgangs wird der Targetrohling mit Ionen bombardiert, wodurch seine Atome zerstreut werden und sich auf dem Substrat ablagern, wo sie einen elektronischen Film bilden. Da hochreine Metalle eine geringe Festigkeit aufweisen und Sputtertargets mit speziellen Geräten ausgestattet werden müssen, um den Sputtervorgang abzuschließen, herrscht in der internen Umgebung des Geräts Hochspannung und Hochvakuum. Daher müssen Sputtertargets aus ultrahochreinen Metallen durch verschiedene Schweißtechniken (in der Branche allgemein als Bonding-Technologie bekannt) mit Trägerplatten verbunden werden, um sicherzustellen, dass das Target sicher befestigt werden kann. Darüber hinaus muss die Trägerplatte eine gute elektrische und thermische Leitfähigkeit aufweisen.